筑波大学开发出大粒径锗结晶薄膜成长技术锗用量仅为原来的1/100

2014-08-21 11:46:42 来源：浏览次数：0

（日刊工业新闻原文中色协铟铋锗刘麦译）由筑波大学数理物质系都甲薰助教及末益崇教授，共同开发了在塑料及玻璃等廉价基板上进行的大直径颗粒锗结晶薄膜成长技术。相比单晶等大块晶体，薄膜可以在保证同等转换效率的同时减少至单晶用量的1/100。

耐热塑料及玻璃上大粒径锗薄膜形成成功（筑波大学提供）

研究团队以铝作为触媒使锗融化后，并在耐热性塑料和玻璃的基板上对其进行结晶化。相比传统工艺，锗在铝液中融化将使得锗在扩散的同时更容易形成大粒径。结晶后的铝用酸进行处理并去除。

该种结晶与单晶的高品质媲美。另外，通常而言，锗的结晶成长温度为500℃的程度的高温，但在使用铝触媒后，大约350℃温度下就可以使结晶正常成长。

目前，粒径100μm的结晶已形成成功。而用一般的气相沉积法，仅能制作3μm左右的薄膜。