锗替代硅——7nm芯片发展方向 2015年6月VLSI技术国际会议论文

2015-04-21 16:35:23 来源: 浏览次数:0

即将在20156月于日本京都召开的VLSI技术国际会议将在其科技主题分类下发表锗材料制作的7nm以下芯片论文。而即将发表的论文表示由于锗在同等级下相比硅的载流子迁移率要高,芯片当中的部分材料如换成硅锗化合物或完全由锗替代的话,将会提升晶体管运行的速度。

此前人们认为新材料和新晶体管结构有可能把摩尔定律延伸至1.5nm,因此IC制造商有非常大的可能性使芯片的制造工艺达到10nm,但是要进入7nm及以下将会面临许多挑战。最大的问题是至今没有达到7nm,能不能达到5nm更是问题,至于3nm那是不可预知的。
(编译:刘麦)

相关信息

分会介绍

最新信息

政策法规

行业知识