我薄膜晶体管技术 国际瞩目

2011-12-07 13:40:19 来源： 浏览次数：0

英特尔抢先量产廿二纳米半导体元件后，各国全力投入更前瞻的十纳米元件技术。我国国家纳米元件实验室突破现有半导体元件矽基材缺陷，利用纯锗研制晶体管，成功把晶体管运行速度提升二到四倍，为我国半导体技术迈向十纳米开创新局。

这项研究成果昨在美国华盛顿举办的「国际电子元件会议」公开发表，被大会选为重点宣传论文。此外，我国研究团队独创发明「铜铟镓硒」薄膜晶体管技术，利用被广泛用来制作太阳能电池的「铜铟镓硒」薄膜，研制晶体管，成功研发出「自供电力线路模块的矽基太阳能元件」，在这项电子元件领域最重要国际研讨会艳惊四座，被选为重点宣传论文。

纳米元件实验室副主任吴文发表示，新材料和节能科技的导入，是半导体元件迈向十纳米技术、提升效能和芯片微小化的重要关键。我国研究团队这次发表的四篇论文，引起国际重视，认为是进入十纳米元件的重要技术选项。

信息来源：中国时报