NEC推出面向高频低噪放大器的新型硅-锗晶体管

2014-05-28 14:11:15 来源：国际电子商情 浏览次数：0

NEC Compound Semiconductor Devices公司与NEC Electronics(Europe)公司日前宣布推出新型硅-锗(SiGe)双极晶体管NESG3031M05/NESG3031M14。

这种新型晶体管是利用该公司独创的下一代硅锗异质结双极晶体管半导体加工工艺技术开发而成，据称具有世界顶级的高频低噪性能。这种硅双极晶体管的频率为5.2GHz，噪声系数为0.95dB。与用于5.2GHz无线通信的上一代器件比较而言，其噪声系数改善了27%，从而特别适用于无线LAN、无绳电话和电子收费(ETC)单元中的高频低噪放大器。

此外，与典型的砷化镓晶体管(GaAs)相比，这种新产品具有可观的成本优势。SiGe晶体管的生产易于控制，便于稳定生产，在性能相同的情况下，其价格仅为GaAs产品的一半。

NESG3031有两种不同的封装形式：具有很低寄生电阻的4引脚小/薄型封装和拥有同类产品世界最小封装的4引脚封模封装(M14封装，封模尺寸为1.2 mm x 0.8 mm)。该器件将小尺寸和高性能集于一身，从而能满足众多市场的要求。

该公司计划于今年八月初开始发售NESG3031M05的样品，而九月初发售NESG3031M05的样品，这两种器件的单价均为35日圆(仅供参考)。计划于开始正式批量生产，产量由最初的每月100万片逐渐，到2004年三月将达到每月1,000万片。