氮化镓和碳化硅将在2020年取代金属硅

2014-08-28 14:32:58 来源： 浏览次数：0

【编者按】GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。

英国金属网资讯：根据Lux研究报告称，凭借其支撑更小的更有效的电子元件，混合半导体材料，像氮化镓（GaN）,碳化硅（Sic），将在2020年在电动汽车的生产中取代金属硅。

该美国研究机构称，以氮化镓和碳化硅为基的宽频带元件更加昂贵，但长期效益不容忽视，例如，美国生产的电动汽车Tesla S model的成本可节省6,000美元。

该机构分析师Pallavi Madakasira 称，对于小型电池来说，高效的电源设备尤为重要，这不但可以影响电线的串联效应，热能调节，对电动汽车的包装和重量都有积极的影响。除了电源组件，一些终端的娱乐设备和屏幕都会增加电动车混合电源的用量。

报告称，如果电池成本在250美元以下，像Tesla Model S电动汽车只能选择比较经济的碳化硅二极管的大型电源。目前，碳化硅二极管将引领氮化镓技术进入技术准备阶段，不久将进行商业化生产，到2020年此技术将广泛用于电动汽车。

各国政府也在投资实现此项宽频带元件的应用。

美国、日本和英国都在致力于推广电源器件的应用。美国能源部先进电源器件和电动机部门今年投资6900万美元发展相关项目。日本政府投资组建一联合工业大学R&D项目，致力于发展丰田、本田和尼桑的电动汽车项目。

信息来源：网易数码  编辑：苟丽丽