黄光LED芯片技术再次突破领跑
2017-10-24 10:22:29 来源: 浏览次数:0
高标准实验室内,配套一流的空气净化系统、温湿度控制系统。LED照明灯内,整齐排列着颗粒大小的芯片,这就是具有世界领先水平的硅衬底黄光LED芯片。
这一芯片,使硅衬底黄光LED电光转换功率效率达到21.5%,远高于国外公开报道的最高水平(9.63%),使我国LED技术处于“局部领跑”地位。新成果应邀在国际国内会议上作大会邀请报告6次,国际同行评价“令人惊叹”,国内同行评价“又一石破天惊的世界纪录”。
习近平总书记的肯定,是江风益团队不懈前进的动力。在2015年度国家科技奖励大会上,党的十九大代表、南昌大学副校长江风益教授作为获奖代表,从习近平总书记手里接过了国家技术发明奖一等奖证书。2016年2月,习近平总书记又视察了南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心实验室,肯定他们攻科研难题和抓成果转化决心大、目标高、工作实、成效好。此次当选党的十九大代表,对江风益来说,不仅是江西科学界和科研工作者的光荣,更是南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心的光荣。“我只有加倍努力,才能对得起总书记和大家的这份信任。”
再一次的突破领跑,主要得益于MOVCD装备与工艺的协同创新。做LED材料,以前核心的装备必须靠进口,全世界只有美国和德国两家公司在生产这个核心装备。近些年,中心自主研发了新一代MOCVD高端装备,这套装备尤其适合黄光LED的研发,被列入“国家 十三五 节能环保产业发展规划”。
黄光LED芯片最大的市场在于其代替了荧光粉。江风益表示,目前LED照明主要是蓝光LED+荧光粉,因为黄光LED芯片电光转换效率不高,必须用荧光粉去代替黄光LED芯片。现在黄光LED芯片已经到了高水平,就可以革掉荧光粉的命,进入真正意义上的下一代半导体照明。
LED照明技术还有很大的发展空间。不仅仅是黄光,目前,江风益团队研究的硅衬底绿光LED电光转换效率也达40%,处于世界一流水平;基于Ag基反射镜的新型反极光红光LED工艺开发获得重要进展,拓展了研发方向;基于五基色LED合成的下一代LED照明技术已达到实用化水平,正向“全面领跑”的目标迈进。
10月19日,参加党的十九大的江西省代表团讨论面向中外媒体开放。江风益在会上深情地说:“曾经,我非常羡慕国外的科研人员,有很多研究经费,可以做很多创新性的工作。现在反过来,我们的研究条件很好,可以做很多以前想做而不敢做、国外没有做成、改变世界的科学研究工作。前不久,南昌大学进入了国家双一流建设大学行列,成为一流学科的建设高校,我所在学科也列入计划中。我们已经制定发展战略,将紧密结合江西重大需求,拓宽研究领域和研究方向。希望在不远的将来,在光伏新材料方面,我们能引领世界格局。”
铟铋锗分会 江朔转发